PN极参浓度高的晶体管是高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）。HEMT的一个主要特点是在其PN结的界面上，使用了极高的参杂浓度，常常达到 $10^{18}cm^{-3}$ 以上，由此产生一个类似于二维电子气的导电层，这层电子迁移率比硅材料高，电阻低。因此，HEMT具有高频特性好和低噪声等优点，被广泛应用于高频放大器、功率放大器、射频开关、混频器等领域。